Iskalni obrazec:
IXFN80N50 specifikacij in aplikacij
Elektronski deli: IXFN80N50
Proizvajalec: IXYS
Zaboji za pakiranje: SOT-227B
Zatiči: 4
Temperatura: Min -55 °C | Max 150 °C
Velikost: 138 KB
Program: 500V HiPerFET power MOSFET single die MOSFET
IXFN80N50 PDF
Datasheet PDF Download
